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最强边际效应直击要点核心

1、半导体：半导体核心材料。

2、计算机：DRGS推进，相关建。

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、半导体

氮化镓：第三代半导体核心材料（海通证券）

①氮化镓：第三代半导体进行时。GaN属于第三代半导体材料（又称为宽禁带半导体材料）。GaN的禁带宽度、电子饱和迁移速度、击穿场强和工作温度远远大于Si和GaAs，具有作为电力电子器件和射频器件的先天优势。目前第三代半导体材料以SiC和GaN为主。相较于SiC，GaN材料的优势主要是成本低，易于大规模产业化。尽管耐压能力低于SiC器件，但优势在于开关速度快。同时，GaN如果配合SiC衬底，器件可同时适用高功率和高频率。

②GaN供给：知名厂商集中海外。根据Yole报告，氮化镓产业链基本包括衬底、外延片、器件制造等环节，其中硅基衬底主要供应商有德国Siltronic、日本Sumco、日本Shin-Etsu等企业，而日本的NTT-AT、比利时的EpiGaN和英国的IQE等则是硅基GaN外延片的主要供应商。部分厂商则在产业链上延伸，同时生产外延片及器件制造，例如Episil、Bridg、Fujitsu等。目前主流氮化镓生产厂家依旧集中在美、欧、日等国，我国企业尚未进入供给端第一梯队。

③氮化镓在通讯基站领域的需求。目前采用氮化镓的微波射频器件主要用于军事领域、4G/5G通讯基站等，由于涉及军事安全，国外对高性能氮化镓器件实行对华禁运。因此，发展自主氮化镓射频功放产业，有助于打破国外垄断，实现自主可控。

④据拓璞产业研究院援引工信部数据，截至2017年12月底中国4G宏基站数量为328万座。中国5G宏基站数量有望达到500万座，为4G基站数量的1.5倍。宏基站建设将会拉动基站端GaN射频器件的需求量，考虑到5G基站的建设周期，拓璞产业研究院预计到2023年基站端GaN射频器件规模达到顶峰，达到112.6亿元。

⑤电子电力器件：电源设备占主导。GaN作为第三代半导体材料，广泛应用于功率电子器件中，根据材料深一度援引Yole数据，2018年GaN功率器件国际市场规模中，电源设备领域占比55%，其次是激光雷达，占比达到26%，其他下游应用如包络跟踪、无线电源等。目前我们使用的电子及电源设备，如个人电脑适配器、音频/视频接收器和数字电视等，有着占用空间大、不美观、发热导致电量损耗等缺点，而GaN能够减少电源体积，同时提升效率。

⑥建议关注海特高新，三安光电。

、计算机

DRGS推进，相关建设需求提升（广发证券）

①DRGs迎来重大突破，试点城市、分组方案、模拟运行时间节点逐一明确

2019年以来，随着国家医保局的成立，正式迎来重大突破：1.明确试点城市；2.公布分组器技术规范；3.明确试点城市模拟运行时间。显示监管层推进医保控费的决心。

②整个医院医疗费用的控制，严格意义而言包含了事前、事中、事后

医保规则贯穿全流程，包括类似单病种付费与DRGs付费等的付费规则。

1）事前控费：在费用发生前，通过医保知识库的医保规则运算，能给予医生提醒，预防违规数据发生。同时，主要通过临床路径规则为基础，规范医生医疗行为。

2）事中控费：已经发生的费用在上传至医保的过程中，通过医保知识库规则引擎综合分析，发现问题数据，此步骤需要与医保的信息系统有所打通。

3）事后控费：对违规记录进行事后统计分析，可为医保规则制定提供依据；对医保指标进行事后统计分析，可为控费效果评价提供依据。

③政府部门端DRGs当前参与者较少，数据服务现需求

参与者相对较少：中公网医疗信息技术有限公司占比较高；其他参与者还包括平安医疗健康管理股份有限公司、武汉金豆医疗数据科技有限公司。主要建设目标为实现医保支付方式改革。按照以收定支、收支平衡、略有结余的原则，实施基金收支预算管理，建立以基金总额预算为基础，按疾病诊断相关分组（DRGs）、按项目付费等多种付费相结合的多元复合式医保支付方式。服务项目为主：由于DRGs涉及对医疗费用数据、病案数据分析更新，因此长期看数据相关服务也是刚需。

④医院端DRGs参与者众多，早期以绩效评价为主要目的

参与者众多：包括主流医疗信息化厂商卫宁健康、东软集团、东华软件、久远银海、万达信息等。同时包括区域性医疗信息化厂商上海联众、上海京颐等。亦有政府部门端的建设方，武汉金豆、平安医疗健康。尽管订单单体规模较政府部门端小，但医院数量多，整体规模仍然可观。建设目的以院内绩效评价为主。仍然以采购系统的形式呈现，数据服务类项目尚少。

⑤投资建议

卫宁健康、创业慧康等公司有望获得老客户DRGs的建设订单；关注医保信息平台各地招投标动态。